A tecnologia dos transistores tem passado por uma evolução significativa ao longo das décadas, impulsionando a performance e eficiência dos chips eletrônicos. Neste cenário, a Intel se destaca com uma inovação promissora: o transistor RibbonFET, que promete trazer um avanço tecnológico relevante para o mercado de semicondutores.
Para compreender melhor essa nova tecnologia, conversamos exclusivamente com Yuri Daglian, Engenheiro de Aplicações da Intel Brasil, que explicou como funciona o RibbonFET e sua importância no contexto atual.
O que é o RibbonFET?
O RibbonFET representa a implementação da Intel do padrão Gate-all-around (GAA) da indústria. Segundo Yuri, “antigamente, os semicondutores eram bidimensionais”. A Intel foi pioneira ao desenvolver os transistores FinFET, que introduziram uma estrutura tridimensional para melhorar a eficiência dos dispositivos.
Com a abordagem de transistor 3D, que inclui porta, canal e dreno, o fluxo de corrente se torna mais modular e controlável, resultando em uma eficiência superior em comparação aos transistores bidimensionais. O conceito de GAA leva isso ainda mais longe, permitindo que a porta entre em contato com o canal em quatro dimensões, o que proporciona um controle ainda mais preciso da corrente elétrica.
Yuri destaca que “a arquitetura RibbonFET é mais compacta do que um transistor FinFET”. As estruturas nanométricas, chamadas de fitas (ribbons), são empilhadas verticalmente, permitindo uma densidade maior de transistores em uma área reduzida. Isso não só melhora o desempenho, mas também possibilita a criação de chips com uma quantidade significativamente maior de transistores.
Avanços e Benefícios do RibbonFET
A nova arquitetura é a primeira inovação em transistores da Intel nos últimos 14 anos, desde o lançamento do FinFET em 2011. A expectativa é de um aumento de desempenho de aproximadamente 15% por Watt em comparação à tecnologia anterior, conforme afirmado pela própria Intel.
Os benefícios dos transistores RibbonFET incluem:
Desafios e Desvantagens do RibbonFET
No entanto, a introdução dessa tecnologia não vem sem desafios. Um dos principais obstáculos é o processo de empilhamento dos canais na vertical. Yuri faz uma analogia interessante: “da mesma forma como um prédio precisa de uma estrutura sólida para suportar seu peso, o empilhamento de canais também requer uma engenharia cuidadosa para garantir a estabilidade e eficiência do transistor”.
Embora o RibbonFET represente um avanço significativo na tecnologia de transistores, a transição para essa nova arquitetura exigirá tempo e esforço consideráveis para superação dos desafios técnicos envolvidos.
Em resumo, o RibbonFET da Intel não só promete aumentar a eficiência e o desempenho dos chips, mas também marca um novo capítulo na evolução dos transistores, refletindo o contínuo impulso da indústria em direção à inovação e otimização de tecnologias eletrônicas.
